ETRI 연구진이 제작된 양자점 레이저 다이오드를 측정하고 있다.[ETRI 제공

[헤럴드경제=구본혁 기자] 국내 연구진이 데이터센터나 양자통신에 활용되는 양자점 레이저를 대량으로 생산할 수 있는 기술개발에 성공했다.

한국전자통신연구원(ETRI)은 그동안 연구용으로만 쓸 수 있었던 양자점 레이저를 유기화학 기상 증착장비(MOCVD) 시스템을 이용해 국내 최초로 대량생산할 수 있는 기술을 개발했다고 밝혔다.

ETRI 광통신부품연구실은 생산성이 우수한 유기화학기상증착장비를 이용해 갈륨비소(GaAs) 기판 위에서 광통신용 1.3㎛ 파장대역에서 활용 가능한 인듐비소/갈륨비소(InAs/GaAs) 양자점 레이저 다이오드 개발에 성공했다.

기존 양자점 레이저 다이오드는 분자선증착장비(MBE)를 이용해 만들었다.

연구진은 생산 효율이 높은 MOCVD를 활용하여 양자점 레이저를 생산성을 높였다.

양자점 레이저는 온도특성이 좋고 기판 결함에 대해 비교적 자유롭다. 따라서 기판 대면적화가 가능한 셈이다. 이로써 저전력 광원개발이 가능해 소비전력을 대폭 줄이고 생산단가도 줄일 수 있다.

연구진이 개발한 양자점 제조 기술은 양자점의 밀도가 높고 매우 균일한 장점을 가지고 있다. 개발한 양자점 반도체 레이저는 최대 75도까지 연속 동작, 세계 최고 수준이다.

기존 통신용 소자는 고가의 2인치 크기의 인듐인(InP) 기판을 사용해 제조 단가가 매우 높았다.

이 기술은 인듐인 기판보다 가격은 1/3 이하이며 최대 6 인치 갈륨비소(GaAs) 기판을 사용해 통신용 반도체 레이저 제조 비용을 1/6 이하로 낮출 수 있을 것으로 기대된다.

연구진은 본 성과를 더욱 고도화해 검증을 통해 신뢰성을 높여 국내 광통신 기업에 기술이전한다는 계획이다.

향후 개발 기간과 생산 비용을 크게 줄여 제품 가격 경쟁력을 향상할 수 있어 해외시장 점유율을 증가시킬 것으로 보고 있다.

김호성 ETRI 광통신부품연구실 박사는 “이번 연구 결과는 상업성과 원천성을 동시에 확보한 사례로 향후 광통신용 반도체 레이저 산업의 패러다임을 바꿀 수 있는 중요한 결과”라고 말했다.