최태원 SK그룹 회장이 지난해 9월 15일 경기도 용인시 원삼면에 위치한 용인반도체클러스터 현장사무소에서 관계자들을 격려하고 있다. [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=김현일 기자] SK하이닉스가 2028년까지 경기도 용인 반도체 클러스터에 9조4000억원을 투자해 고대역폭 메모리(HBM)를 생산할 공장 1개와 업무시설을 짓기로 했다. 이를 통해 빠르게 증가하는 인공지능(AI) 반도체 수요에 대응하고 미래 성장동력을 확보한다는 전략이다.

SK하이닉스는 26일 이사회를 열고 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹(Fab·공장)과 업무시설 건설에 약 9조4000억원을 투자하는 안건을 승인했다고 밝혔다.

SK하이닉스는 첫 번째 팹에서 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이다. 완공 시점에 시장 수요에 맞춰 다른 제품도 생산할 수 있도록 준비할 방침이다.

첫 번째 팹 내부에는 반도체 소재·부품·장비 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설(미니팹)도 구축할 계획이다. 실제 생산 현장과 유사한 환경을 국내 소부장 중소기업들에게 제공해 기술 개발과 실증, 평가를 지원하기로 했다.

이번에 승인한 투자금액에는 공장 건설비용 외에도 부대시설·업무지원동·복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설비용이 포함됐다. 부대시설에는 수처리 시설을 비롯해 전선·통신선로·상하수도관·열수송관 등 지하매설물을 공동 수용할 시설물, 변전시설, 창고 등이 포함된다.

SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 조감도. [SK하이닉스 제공]

투자기간은 공장 설계기간 등을 고려해 올해 8월부터 2028년 말까지 4년으로 산정했다. 업무지원동 등은 2028년 하반기 준공 예정이다.

SK하이닉스는 “기존에 정한 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 계획이며 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장기반을 다지고, 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 밝혔다.

경기도 용인 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지(整地) 및 인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 50여개 소부장 기업들과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다.

우선 첫 번째 팹을 건설한 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’으로 키운다는 계획이다.

김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장이 될 것”이라며 “대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하겠다”고 말했다.